Metoda ilościowej oceny jakości lutowania struktur tranzystorów bipolarnych do ażuru /
SUSZYŃSKI, Zbigniew. Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elektroniki Ciała Stałego 1996 - .
Metoda ilościowej oceny jakości lutowania struktur tranzystorów bipolarnych do ażuru / Zbigniew Suszyński. - 2000.
kopia dokumentu (Informator o publikowanych wynikach prac naukowo-badawczych w 2000 roku Wydziału Elektroniki).
Zbadano związek pomiędzy zachowaniem się charakterystyk częstotliwościowych impedancji termicznej oraz siłą połączenia ultrakompresyjnego struktury półprzewodnikowej z ażurem. Dla danego typu struktury można na podstawie charakterystyki fazowej lub amplitudowej impedancji termicznej przewidzieć wielkość siły powodującej zniszczenie połączenia ultrakompresyjnego, a tym samym ocenić ilościowo jego jakość w sposób nieinwazyjny. Współczynnik korelacji pomiędzy wynikami badań termicznych oraz badań niszczących wyniósł ok. 0,8.
Tranzystory.
Lutowanie.
Impedancja.
Materiały konferencyjne.
621.791/.795 621.382.3
Metoda ilościowej oceny jakości lutowania struktur tranzystorów bipolarnych do ażuru / Zbigniew Suszyński. - 2000.
kopia dokumentu (Informator o publikowanych wynikach prac naukowo-badawczych w 2000 roku Wydziału Elektroniki).
Zbadano związek pomiędzy zachowaniem się charakterystyk częstotliwościowych impedancji termicznej oraz siłą połączenia ultrakompresyjnego struktury półprzewodnikowej z ażurem. Dla danego typu struktury można na podstawie charakterystyki fazowej lub amplitudowej impedancji termicznej przewidzieć wielkość siły powodującej zniszczenie połączenia ultrakompresyjnego, a tym samym ocenić ilościowo jego jakość w sposób nieinwazyjny. Współczynnik korelacji pomiędzy wynikami badań termicznych oraz badań niszczących wyniósł ok. 0,8.
Tranzystory.
Lutowanie.
Impedancja.
Materiały konferencyjne.
621.791/.795 621.382.3