Właściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN /
Andriyevskyy, Bohdan Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Podstaw Elektroniki 2001 - .
Właściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN / Bohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko. - 2004.
Dane z autopsji.
Przeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN.
Przewodnictwo elektryczne.
Materiały konferencyjne.
537
Właściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN / Bohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko. - 2004.
Dane z autopsji.
Przeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN.
Przewodnictwo elektryczne.
Materiały konferencyjne.
537