Modelowanie, kalibracja i zastosowanie tranzystorów MOS z czujnikami prądu /
BARAŃSKI, Marcin - doktorant. Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki
Modelowanie, kalibracja i zastosowanie tranzystorów MOS z czujnikami prądu / Marcin Barański. - 2006.
Dane z autopsji.
W artykule przedstawiono prosty model czujnika prądu słuszny dla statycznej pracy tranzystora oraz powolnych zmian prądu źródła i napięcia bramka-źródło. Nie uwzględniono wpływu pojemności zawartych w strukturze czujnika oraz pasożytniczych rezystancji. Będzie to przedmiotem dalszych badań i prac nad modelowaniem tranzystorów MOS z czujnikami prądu.
Modelowanie i sterowanie rozmyte.
Tranzystory.
Materiały konferencyjne.
631.38
Modelowanie, kalibracja i zastosowanie tranzystorów MOS z czujnikami prądu / Marcin Barański. - 2006.
Dane z autopsji.
W artykule przedstawiono prosty model czujnika prądu słuszny dla statycznej pracy tranzystora oraz powolnych zmian prądu źródła i napięcia bramka-źródło. Nie uwzględniono wpływu pojemności zawartych w strukturze czujnika oraz pasożytniczych rezystancji. Będzie to przedmiotem dalszych badań i prac nad modelowaniem tranzystorów MOS z czujnikami prądu.
Modelowanie i sterowanie rozmyte.
Tranzystory.
Materiały konferencyjne.
631.38