Evaluation of the intrinsic stress value in silicon wafers from photovoltage measurements / (Rekord nr 66)
| 000 -ETYKIETA REKORDU | |
|---|---|
| podpole kontrolne o stałej długości | 01333nab a2200205 i 4500 |
| 001 - NUMER KONTROLNY REKORDU | |
| podpole kontrolne | BPP |
| 003 - IDENTYFIKATOR NUMERU KONTROLNEGO REKORDU | |
| podpole kontrolne | BPK |
| 005 - DATA OSTATNIEJ MODYFIKACJI REKORDU | |
| podpole kontrolne | 20160608103849.0 |
| 008 - POLE O STAŁEJ DŁUGOŚCI - DANE KONTROLNE | |
| podpole kontrolne o stałej długości | 151208s2000 ne | | |000 ||eng |
| 040 ## - ŹRÓDŁO KATALOGOWANIA | |
| Instytucja, która utworzyła rekord | BPK |
| 041 ## - KOD JĘZYKA | |
| Kod języka tekstu | eng |
| 044 ## - KOD KRAJU WYDAWCY/PRODUCENTA | |
| Kod kraju wydawcy/producenta | NLD |
| 100 ## - NAZWA OSOBOWA | |
| Nazwa osobowa | PATRYN, Aleksy. |
| Lata pracy | 1996 - . |
| Instytucja | Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, |
| Wydział | Katedra Elektroniki Ciała Stałego |
| 245 ## - TYTUŁ/ODPOWIEDZIALNOŚĆ | |
| Tytuł | Evaluation of the intrinsic stress value in silicon wafers from photovoltage measurements / |
| Pozostałe elementy strefy tytułu i oznaczenia odpowiedzialności | Aleksy Patrin. |
| 260 ## - STREFA ADRESU WYDAWNICZEGO | |
| Data publikacji, dystrybucji/powstania dokumentu | 2000. |
| 500 ## - UWAGI OGÓLNE | |
| Tekst uwagi | Dane z Informatora o publikowanych wynikach prac naukowo-badawczych w 2002 roku Wydziału Elektroniki. |
| 520 ## - UWAGA DOTYCZĄCA TREŚCI DOKUMENTU | |
| Analiza dokumentacyjna, adnotacja itp. | An approach was developed to estimate an intrinsic stress value in silicon from surface photovoltage measurements (SPV). The method is developed by taking into account the stress as a parameter varying the optical absorption spectrum, with the stress value used for proper linearization the SPV spectrum. The stress value may be obtained as a parameter giving the best fitting of the experimental data to the stright line. The approach may be applied for various types of monocrystalline and multicrystalline silicon samples, both as grown and after various technological treatments. |
| 773 ## - TYTUŁ DOKUMENTU MACIERZYSTEGO | |
| Wyrażenie wprowadzające | W : |
| Tytuł | Materials Science & Engineering. - |
| Informacje dotyczące relacji | 2000, Vol. A 288, s. 177-181 |
| 942 ## - HASŁO DODATKOWE - ELEMENTY(KOHA) | |
| Typ dokumentu | Artykuł |
| Schemat klasyfikacji | Uniwersalna klasyfikacja dziesiętna |
Brak dostępnych egzemplarzy.