Modelowanie, kalibracja i zastosowanie tranzystorów MOS z czujnikami prądu / Marcin Barański.
Rodzaj materiału:
ArtykułSzczegóły wydania: 2006.Tematy: Rodzaj/forma:
W: Modele inżynierii teleinformatyki : wybrane zastosowania. - s. 13-20Streszczenie: W artykule przedstawiono prosty model czujnika prądu słuszny dla statycznej pracy tranzystora oraz powolnych zmian prądu źródła i napięcia bramka-źródło. Nie uwzględniono wpływu pojemności zawartych w strukturze czujnika oraz pasożytniczych rezystancji. Będzie to przedmiotem dalszych badań i prac nad modelowaniem tranzystorów MOS z czujnikami prądu.
| Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Sygnatura | Status | Termin zwrotu | Kod kreskowy | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Artykuł
|
Bibliografia Prac Pracowników - BPK | 81221 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej)) | Nie można wypożyczyć |
Zakończ przeglądanie półki (Zakończ przeglądanie półki)
Dane z autopsji.
W artykule przedstawiono prosty model czujnika prądu słuszny dla statycznej pracy tranzystora oraz powolnych zmian prądu źródła i napięcia bramka-źródło. Nie uwzględniono wpływu pojemności zawartych w strukturze czujnika oraz pasożytniczych rezystancji. Będzie to przedmiotem dalszych badań i prac nad modelowaniem tranzystorów MOS z czujnikami prądu.