Widok standardowy Widok MARC Widok ISBD

Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky'ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur / M. Oleksy, J. Kraśniewski.

Autor:

OLEKSY, Maciej. Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Systemów Elektronicznych, 2003 -

Współtwórca(-y):

KRAŚNIEWSKI, Jarosław. Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Systemów Elektronicznych, 1997 -

Rodzaj materiału:

ArtykułPraca zawiera:

Krajowa Konferencja Elektroniki (6 ; 2007 ; Darłowo, Polska). KKE'2007

Tematy:

Rodzaj/forma:

Materiały konferencyjne.

W: Szósta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2 / [kom. red. Włodzimierz Janke - przewodn., Maciej Bączek, Stefan Łuczak]. - s. 597-602Streszczenie: Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (diod Schottky'ego Si oraz SiC) w szerokim zakresie temperatur. Przedstawiono opracowane stanowisko badawcze, a także przykładowe krzywe analityczne będące odpowiednikami zmierzonych krzywych impedancji termicznej.

Egzemplarze ( 1 )
Uwagi ( 2 )

Egzemplarze
Typ dokumentu	Obecna biblioteka	Sygnatura	Status	Termin zwrotu	Kod kreskowy
Rozdział	Bibliografia Prac Pracowników - BPK	85066 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej))	Nie można wypożyczyć

Zakończ przeglądanie półki (Zakończ przeglądanie półki)

Wstecz								Dalej
Wstecz	85066 System monitorowania i zarządzania urządzeniami przez sieć Ethernet/Internet dla małych firm, analiza na tle aktualnych tendencji /	85066 Pomiary parametrów i charakterystyk statycznych, dynamicznych, szumowych i termicznych przyrządów z SiC /	85066 Właściwości szumowe i termiczne diod z węglika krzemu /	85066 Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky'ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur /	85260 Wissenschaft und Wirtschaft im Diskurs Die Zukunft regenerativer Energien /	85264 Methods to overcome European Union aid funds absorption barriers /	85264 Grundung der Weideplantagen auf den Brachflachem /	Dalej

Dane z autopsji.

Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (diod Schottky'ego Si oraz SiC) w szerokim zakresie temperatur. Przedstawiono opracowane stanowisko badawcze, a także przykładowe krzywe analityczne będące odpowiednikami zmierzonych krzywych impedancji termicznej.