01581naa a2200265 i 4500 BPP BPK 20180427091546.0 151112s2000 pl f |100 0 pol BPK 621.791/.795 621.382.3 SUSZYŃSKI, Zbigniew. 1996 - . Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elektroniki Ciała Stałego Metoda ilościowej oceny jakości lutowania struktur tranzystorów bipolarnych do ażuru / Zbigniew Suszyński. 2000. kopia dokumentu (Informator o publikowanych wynikach prac naukowo-badawczych w 2000 roku Wydziału Elektroniki). Zbadano związek pomiędzy zachowaniem się charakterystyk częstotliwościowych impedancji termicznej oraz siłą połączenia ultrakompresyjnego struktury półprzewodnikowej z ażurem. Dla danego typu struktury można na podstawie charakterystyki fazowej lub amplitudowej impedancji termicznej przewidzieć wielkość siły powodującej zniszczenie połączenia ultrakompresyjnego, a tym samym ocenić ilościowo jego jakość w sposób nieinwazyjny. Współczynnik korelacji pomiędzy wynikami badań termicznych oraz badań niszczących wyniósł ok. 0,8. Tranzystory. Lutowanie. Impedancja. Materiały konferencyjne. Metrologia 2000 (2 ; 2000 ; Rzeszów / Jawor, Polska). Metrologia 2000 W : II Konferencja Grantowa Metrologia. - 2000, s. 73-78 ART UKD 299 299