Metoda ilościowej oceny jakości lutowania struktur tranzystorów bipolarnych do ażuru
SUSZYŃSKI, Zbigniew.
Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elektroniki Ciała Stałego
1996 -
creator
Metrologia 2000 2000 ; Rzeszów / Jawor, Polska).
text
conference publication
Materiały konferencyjne.
pl
2000
monographic
pol
Zbadano związek pomiędzy zachowaniem się charakterystyk częstotliwościowych impedancji termicznej oraz siłą połączenia ultrakompresyjnego struktury półprzewodnikowej z ażurem. Dla danego typu struktury można na podstawie charakterystyki fazowej lub amplitudowej impedancji termicznej przewidzieć wielkość siły powodującej zniszczenie połączenia ultrakompresyjnego, a tym samym ocenić ilościowo jego jakość w sposób nieinwazyjny. Współczynnik korelacji pomiędzy wynikami badań termicznych oraz badań niszczących wyniósł ok. 0,8.
specialized
Zbigniew Suszyński.
kopia dokumentu (Informator o publikowanych wynikach prac naukowo-badawczych w 2000 roku Wydziału Elektroniki).
Tranzystory
Lutowanie
Impedancja
621.791/.795
621.382.3
II Konferencja Grantowa Metrologia. -
2000, s. 73-78
151112
20180427091546.0
BPP