01611naa a2200241 i 4500 BPP BPK 20191005121919.0 151208s2004 pl f |100 0 pol BPK 537 Andriyevskyy, Bohdan Autor 2001 - . Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Podstaw Elektroniki Właściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN / Bohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko. 2004. Dane z autopsji. Przeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN. Przewodnictwo elektryczne. Materiały konferencyjne. W : Trzecia Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - Koszalin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2004. - s. 473-478 Krajowa Konferencja Elektroniki (3 ; 2004 ; Kołobrzeg, Polska). KKE'2004 Patryn, Aleksy Autor 1996 - . Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Podstaw Elektroniki ART UKD 3691 3691 0 0 0 0 BPK BPK 72248 ART