01647naa a2200253 i 4500001000400000003000400004005001700008008003900025040000800064080000800072100013700080245014300217260001000360500002100370520049800391650003100889655003000920773016500950711008201115700013101197942001301328999001501341952003701356BPPBPK20191005121919.0151208s2004    pl     f     |100 0 pol  cBPK  a537  aAndriyevskyy, BohdaneAutord2001 - .bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki,cKatedra Podstaw Elektroniki  aWłaściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN /cBohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko.  c2004.  aDane z autopsji.  aPrzeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN. 0aPrzewodnictwo elektryczne. 0aMateriały konferencyjne.  iW :tTrzecia Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. -dKoszalin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2004. -gs. 473-478  aKrajowa Konferencja Elektronikin(3 ;d2004 ;cKołobrzeg, Polska).pKKE'2004  aPatryn, AleksyeAutord1996 - .bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki,cKatedra Podstaw Elektroniki  cART2UKD  c3691d3691  00104070aBPKbBPKo72248yART