01658naa a2200253 i 4500 BPP BPK 20180216161353.0 151020s2005 pl f |100 0 pol BPK 621.382 KRAŚNIEWSKI, Jarosław. 1997 - . Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elementów i Miernictwa Elektronicznego Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych / Jarosław Kraśniewski. 2005. Dane z autopsji. W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji. Półprzewodniki. Lasery półprzewodnikowe. Symulacja. Materiały konferencyjne. W : Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - Koszalin : Wyd. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005. - s. 573-578 Krajowa Konferencja Elektroniki (4 ; 2005 ; Darłowko Wschodnie, Polska). KKE'2005 ART UKD 3700 3700 0 0 0 0 BPK BPK 77973 ART