Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych
KRAŚNIEWSKI, Jarosław.
Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elementów i Miernictwa Elektronicznego
1997 -
creator
Krajowa Konferencja Elektroniki 2005 ; Darłowko Wschodnie, Polska).
text
conference publication
Materiały konferencyjne.
pl
2005
monographic
pol
W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.
specialized
Jarosław Kraśniewski.
Dane z autopsji.
Półprzewodniki
Lasery półprzewodnikowe
Symulacja
621.382
Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. -
Koszalin : Wyd. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005. -
s. 573-578
151020
20180216161353.0
BPP