01706naa a2200265 i 4500001000400000003000400004005001700008008003900025040000800064080001200072100014200084245017500226260001000401500002100411520058900432650002301021650003201044650001501076655003001091773016301121711009101284942001301375999001501388952003701403BPPBPK20180216161353.0151020s2005    pl     f     |100 0 pol  cBPK  a621.382  aKRAŚNIEWSKI, Jarosław.d1997 - .bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki,cKatedra Elementów i Miernictwa Elektronicznego  aRejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych /cJarosław Kraśniewski.  c2005.  aDane z autopsji.  aW pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji. 0aPółprzewodniki. 0aLasery półprzewodnikowe. 0aSymulacja. 0aMateriały konferencyjne.  iW :tCzwarta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. -dKoszalin : Wyd. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005. -gs. 573-578  aKrajowa Konferencja Elektronikin(4 ;d2005 ;cDarłowko Wschodnie, Polska).pKKE'2005  cART2UKD  c3700d3700  00104070aBPKbBPKo77973yART