TY  - GEN
AU  - OLEKSY,Maciej, Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki
AU  - KRAŚNIEWSKI,Jarosław, Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki
ED  - Krajowa Konferencja Elektroniki
TI  - Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky'ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur
KW  - Diody
KW  - Temperatura
KW  - Materiały konferencyjne
N1  - Dane z autopsji
N2  - Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (diod Schottky'ego Si oraz SiC) w szerokim zakresie temperatur. Przedstawiono opracowane stanowisko badawcze, a także przykładowe krzywe analityczne będące odpowiednikami zmierzonych krzywych impedancji termicznej
ER  -