000			01611naa a2200241 i 4500
001			BPP
003			BPK
005			20191005121919.0
008			151208s2004 pl f |100 0 pol
040			_cBPK
080			_a537
100			_aAndriyevskyy, Bohdan _eAutor _d2001 - . _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, _cKatedra Podstaw Elektroniki
245			_aWłaściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN / _cBohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko.
260			_c2004.
500			_aDane z autopsji.
520			_aPrzeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN.
650		0	_aPrzewodnictwo elektryczne.
655		0	_aMateriały konferencyjne.
773			_iW : _tTrzecia Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - _dKoszalin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2004. - _gs. 473-478
711			_aKrajowa Konferencja Elektroniki _n(3 ; _d2004 ; _cKołobrzeg, Polska). _pKKE'2004
700			_aPatryn, Aleksy _eAutor _d1996 - . _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, _cKatedra Podstaw Elektroniki
942			_cART _2UKD
999			_c3691 _d3691