000			01658naa a2200253 i 4500
001			BPP
003			BPK
005			20180216161353.0
008			151020s2005 pl f |100 0 pol
040			_cBPK
080			_a621.382
100			_aKRAŚNIEWSKI, Jarosław. _d1997 - . _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, _cKatedra Elementów i Miernictwa Elektronicznego
245			_aRejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych / _cJarosław Kraśniewski.
260			_c2005.
500			_aDane z autopsji.
520			_aW pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.
650		0	_aPółprzewodniki.
650		0	_aLasery półprzewodnikowe.
650		0	_aSymulacja.
655		0	_aMateriały konferencyjne.
773			_iW : _tCzwarta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - _dKoszalin : Wyd. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005. - _gs. 573-578
711			_aKrajowa Konferencja Elektroniki _n(4 ; _d2005 ; _cDarłowko Wschodnie, Polska). _pKKE'2005
942			_cART _2UKD
999			_c3700 _d3700