000			01319naa a2200241 i 4500
001			BPP
003			BPK
005			20180425134109.0
008			160113s2006 pl f |100 0 pol
040			_cBPK
080			_a631.38
100			_aBARAŃSKI, Marcin - doktorant. _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki
245			_aModelowanie, kalibracja i zastosowanie tranzystorów MOS z czujnikami prądu / _cMarcin Barański.
260			_c2006.
500			_aDane z autopsji.
520			_aW artykule przedstawiono prosty model czujnika prądu słuszny dla statycznej pracy tranzystora oraz powolnych zmian prądu źródła i napięcia bramka-źródło. Nie uwzględniono wpływu pojemności zawartych w strukturze czujnika oraz pasożytniczych rezystancji. Będzie to przedmiotem dalszych badań i prac nad modelowaniem tranzystorów MOS z czujnikami prądu.
650		0	_aModelowanie i sterowanie rozmyte.
650		0	_aTranzystory.
655		0	_aMateriały konferencyjne.
773			_iW : _tModele inżynierii teleinformatyki : wybrane zastosowania. - _dKoszalin : Wydaw, Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2006. - _gs. 13-20
711			_aKrajowa Konferencja Studentów i Młodych Pracowników Nauki _n(3 ; _d2006 ; _cKoszalin, Polska).
942			_cART _2UKD
999			_c6355 _d6355