000			01558naa a2200241 i 4500
001			716
003			KOSZ 005
005			20180220150148.0
008			151019s2007 pl f |100 0 pol
040			_cBPK _dKOSZ 005/EG
080			_a621.382
100	1		_aOLEKSY, Maciej. _d2003 - . _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, _cKatedra Systemów Elektronicznych
245	1	0	_aPorównanie charakterystyk termicznych diod Schottky'ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur / _cM. Oleksy, J. Kraśniewski.
500			_aDane z autopsji.
520			_aPrzedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (diod Schottky'ego Si oraz SiC) w szerokim zakresie temperatur. Przedstawiono opracowane stanowisko badawcze, a także przykładowe krzywe analityczne będące odpowiednikami zmierzonych krzywych impedancji termicznej.
650		0	_aDiody.
650		0	_aTemperatura.
655		0	_aMateriały konferencyjne.
700	1		_aKRAŚNIEWSKI, Jarosław. _d1997 - . _bPolitechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki i Informatyki, _cKatedra Systemów Elektronicznych
773	0		_iW : _tSzósta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2 / [kom. red. Włodzimierz Janke - przewodn., Maciej Bączek, Stefan Łuczak]. - _d[Gdańsk : Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział], 2007. - _gs. 597-602
711	2	2	_aKrajowa Konferencja Elektroniki _n(6 ; _d2007 ; _cDarłowo, Polska). _pKKE'2007
942			_cROZ _2UKD
999			_c716 _d716