Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu, z uwzględnieniem efektów termicznych / Aneta Hapka, Włodzimierz Janke.
Rodzaj materiału:
ArtykułPraca zawiera: - Krajowa Konferencja Elektroniki (7 ; 2008 ; Darłowo, Polska). KKE'2008
| Okładka | Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Biblioteka macierzysta | Kolekcja | Lokalizacja | Sygnatura | Materiały określone | Nr tomu/części | URL | Numer kopii | Status | Uwagi | Termin zwrotu | Kod kreskowy | Zamówienia | Kolejka rezerwacji egzemplarzy | Kursy | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rozdział
|
Bibliografia Prac Pracowników - BPK | 91233 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej)) | Nie można wypożyczyć |
Dane z autopsji.
O jakości wyników symulacji w dużej mierze decyduje dobór parametrów w modelach elementów, co zostanie pokazane w niniejszej pracy. Proponuje się również model dla symulatorów obwodowych, umożliwiający uwzględnienie wpływu samonagrzewania na charakterystyki statyczne.