Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky'ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur / M. Oleksy, J. Kraśniewski.
Rodzaj materiału:
ArtykułPraca zawiera: - Krajowa Konferencja Elektroniki (6 ; 2007 ; Darłowo, Polska). KKE'2007
| Okładka | Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Biblioteka macierzysta | Kolekcja | Lokalizacja | Sygnatura | Materiały określone | Nr tomu/części | URL | Numer kopii | Status | Uwagi | Termin zwrotu | Kod kreskowy | Zamówienia | Kolejka rezerwacji egzemplarzy | Kursy | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rozdział
|
Bibliografia Prac Pracowników - BPK | 85066 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej)) | Nie można wypożyczyć |
Dane z autopsji.
Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej elementów półprzewodnikowych (diod Schottky'ego Si oraz SiC) w szerokim zakresie temperatur. Przedstawiono opracowane stanowisko badawcze, a także przykładowe krzywe analityczne będące odpowiednikami zmierzonych krzywych impedancji termicznej.