Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych /
KRAŚNIEWSKI, Jarosław. Politechnika Koszalińska - Wydział Elektroniki, Katedra Elementów i Miernictwa Elektronicznego 1997 - .
Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych / Jarosław Kraśniewski. - 2005.
Dane z autopsji.
W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.
Półprzewodniki.
Lasery półprzewodnikowe.
Symulacja.
Materiały konferencyjne.
621.382
Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych / Jarosław Kraśniewski. - 2005.
Dane z autopsji.
W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.
Półprzewodniki.
Lasery półprzewodnikowe.
Symulacja.
Materiały konferencyjne.
621.382