Rejestracja procesów przejściowych w elementach półprzewodnikowych w obecności oddziaływań fotoelektrycznych i elektro-termicznych / Jarosław Kraśniewski.
Rodzaj materiału:
ArtykułSzczegóły wydania: 2005.Tematy: Rodzaj/forma:
W: Czwarta Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - Koszalin : Wyd. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2005. - s. 573-578Streszczenie: W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.
| Okładka | Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Biblioteka macierzysta | Kolekcja | Lokalizacja | Sygnatura | Materiały określone | Nr tomu/części | URL | Numer kopii | Status | Uwagi | Termin zwrotu | Kod kreskowy | Zamówienia | Kolejka rezerwacji egzemplarzy | Kursy | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Artykuł
|
Bibliografia Prac Pracowników - BPK | 77973 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej)) | Nie można wypożyczyć |
Dane z autopsji.
W pracy przedstawiono metodę rejestracji zmian napięcia na złączu B-E pod wpływem naświetlania struktury tranzystorowej laserem. Czasowe przebiegi tego napięcia są wynikiem złożonych oddziaływań fotoelektrycznych i elektrotermicznych. Opisano budowę i zasadę działania układu realizującego pomiar. Na podstawie eksperymentu i zarejestrowanych zmian napięcia powstał model zachodzących procesów wraz z symulacją w programie PSPICE. Następnie dokonano analizy porównawczej i zgodności jakościowej wyników eksperymentu z wynikami symulacji.