Właściwości elektryczne heterostruktur na bazie epitaksjalnych warstw GaN / Bohdan Andrzejewski, Aleksy Patryn, Eugenii V. Lutsenko.
Rodzaj materiału:
ArtykułSzczegóły wydania: 2004.Tematy: Rodzaj/forma:
W: Trzecia Krajowa Konferencja Elektroniki : materiały konferencji. T. 2/2. - Koszalin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2004. - s. 473-478Streszczenie: Przeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN.
| Okładka | Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Biblioteka macierzysta | Kolekcja | Lokalizacja | Sygnatura | Materiały określone | Nr tomu/części | URL | Numer kopii | Status | Uwagi | Termin zwrotu | Kod kreskowy | Zamówienia | Kolejka rezerwacji egzemplarzy | Kursy | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Artykuł
|
Bibliografia Prac Pracowników - BPK | 72248 (Przeglądaj półkę(Otwórz poniżej)) | Nie można wypożyczyć |
Zakończ przeglądanie półki (Zakończ przeglądanie półki)
Dane z autopsji.
Przeprowadzono pomiary zależności temperaturowych w zakresie 80 - 370 K przewodnictwa stałoprądowego i przenikalności zespolonej na częstotliwościach w zakresie 1 kHz - 1 MHz heterostruktur na bazie warstw epitaksjalnych GaN na krzemie monokrystalicznym. Charakterystyczne temperaturowe anomalie pomierzonych wielkości w zakresie 225 - 325 K wskazują na zmiany polaryzacji spontanicznej, zachodzących po ewentualnej transformacji strukturalnej heterostruktur w warstwie GaN.